功率MOSFET雪崩击穿问题分析

随着能量的释放，器件温度发生变化，其瞬时释放能量值为

P(t)=i(t)v=i(t)V_BR（15）

式中：

i(t)=I_o－t（16）

到任意时刻t所耗散的能量为

E=Pdt= L(I_o²－i²)（17）

在一定时间t后，一定的耗散功率下，温升为

Δθ=P_oK（18）

式中：K=，其中ρ为密度；k为电导率；c为热容量。

实际上耗散功率不是恒定的，用叠加的方法表示温升为

Δθ=P_oK－δP_nK（19）

式中：δP_n=δi_nV_BR=V_BRδt；

P_o=I_oV_BR；

δt=t_n－t_n－1；

t_m=t=。

则温升可以表示为

&De电感生产厂家lta;θ(t)=P_oK－Kδt（20）

可以表示成积分形式为

Δθ(t)=P_oK插件电感－Kdτ(21)

在某一时刻t温升表达式为

Δθ(t)=P_oK－

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