功率MOSFET雪崩击穿问题分析

如果增益为M，则基极电流为

I_b =I_d－I_s=MI_s－I_s=(M－1)(I_do＋γR_bI_b)(3)

可得

I_b=(4a)

I_s=(4b)

I_d=(4c)

当发生击穿时，有

I_bR_b≈0.6V(5)

由式(4)及式(5)可得击穿时的关系式（下标SB为雪崩击穿标志）为

1－（6）

M的经验表达式为

M=1/[1－(V_d/BV)ⁿ]（7）

式中：BV为漏极同p-基极间电压；

n为常数。

由式(4)及式(7)可得

1＋γR电感器作用_b＋(8a)

(8b)

1－=(1＋γR_b)(8c)

在“快回”点，由式(8a)和式(8b)得

I_d,SB－I_do=(1＋γR_b)I_b,SB=＋0.6γ（9）

由式(6)及式(7)得

V_d,SB=BV[1＋R_b(γ＋I_do/0.6)]^－1/n(10a)

V_d,SB=BV一体成型电感器[0.6/R_bI_d,SB]^1/n(10b)

由式(10b)得

I_D,SB=I_c,SB＋I_d,SB=I_c,SB＋=I_c,SB＋I_b,SB(11)

式(11)说明，I_D,SB为MOSFET漏极寄生三极管集电极在二次击穿时的电流的总和。式(10a)表明，雪电感器生产厂家崩击穿电压随着I_do或R_b增大而减小。式(10b)则给出了雪崩击穿的边界电压。

大量的研究和试验表明，I_c,SB很小。另外，由于寄生三极管的增益较大，故在雪崩击穿时，三极管基极电子、空穴重新结合所形大功率电感贴片电感器成的电流，以及从三极管集电极到发射极空穴移动所形成的电流，只占了MOSFET漏极电流的一小部分；所有的基极电流I_b流过R_b；当I

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