用于反激变换器中BIMOSFET的相关性能
来源： 作者： 发布时间：2015-05-15 23:27:03 浏览量：图3
5 驱动要求
a) 标准BIMOSFET
实验表明门极电阻和门极电压对损耗的影响很大。我们发现通常门极电阻小于30欧姆时，驱动波形会出现振荡;而当电阻大于50欧姆时又会增加导通损耗。因此IXBH9N160 BIMOSFET最佳工作条件是驱动电压为15V，门极电阻在30-50欧姆之间。为了获得全导通，15V的门极电压是必要的，这是因为6V的门槛电压和MOSFET比较来看相对比较高。
b) G型BIMOSFET
G型BIMOSFET的门槛电压通常为4V左右，略低于标准型。因此门极驱动电压可以为10V。BIMOSFET在反激变换器中可以区带1000V的MOSFET。由于其阻断电压高达1400/1600V，因此可以减小甚至省略吸收电容。不过驱动电压至少应该为15V，从而减小开通损耗。
G型表示时末尾字母是G，目前第一批生产的器件是IXBF9N140G和IXBF9N160G。
6 静态特性
通过对比输出曲线，我们可以看到MOSFET的线性特性(图4a)和BIMO电感公式SFET的双极性(图4b)。
图4a告诉我们，当驱动电压仅为6V时，MOSFET可以流过2A的电流。对比图4b中BIMOSFET的输出特性，我们看到当驱动电压为7V时，没有电流流过。这就是BIMOSFET最大的区别。当电流低于5A时，我们至少需要11V的驱动电压来开通它。在电流峰值比较高的场合，我们需要15V的驱动电压。导通时的损耗也不尽相同。驱动电压15V大电流电感，流过的电流为2A时，MOSFET有18V的压降，而BIMOSFET只有4V的压降，这就减小了4.5倍的损耗。此外BIMOSFET的电流定额也比较高，普通MOSFET只能流过3A，而BIMOSFET可以达到10A以上。
图四 输出特性
7电感器生产 开关特性
为了量化MOSFET和BIMOSFET的性能，我们作了一系列的对比试验。图5a和图5b给出了一个完整开关周期的波形，并对损耗进行了计算。同时还测量了漏极电流，漏极电压，和门极电压。功率耗散和全部的能量也通过这些数据计算出来。
测试装置是一个双脉冲测试器，当MOSFET导通时，续流二极管依旧开通。因此开通的波形会受到二极管反向恢复的一点影响。但由于二极管对MOSFET和BIMOSFET的影响是一样的，所以二者仍然可以比较。
图五 开关波形
条件如下所示：
关断电流幅值=4A
电压=800V
门极驱动=15V，40欧姆
结温=125摄氏度
t0到t1是导通状态的结束。在这个状态结束时，我们可以看到能量曲线有所上升(实线所示)，这是由MOSFET导通时比较高的损耗造成的。
下个阶段(t1到t2)是关断状态。虚线所示两者基本没有什么区被，BIMOSFET略微少一点。
关断结束后(t2到t3)，BIMOSFET不存在拖尾电流。能量曲线有轻微上升，因为我们得到的结果和MOSFET相同，而MOSFET是没有拖尾电流的，所以关断状态时的测量可能会存在一点误差。
下个阶段是开通阶段，从t3到t4。我们可以看到开通时会产生比较大的损耗。上面的实线表示电流的尖峰，这是由二极管的换向造成的。MOSFET的开通时间要长于BIMOSFET。MOSFET的峰值功率为250nS,4KW;而BIMOSFET的峰值功率为130nS，5KW。MOSFET的总开关损耗大约为0.5mJ，而BIMOSFET仅为0.4mJ，大约减小了20%。
最后的500nS，从t4到t5，是导通状态的开始阶段。MOSFET的能量曲线由于较高的通态电阻而有所上升。BIMOSFET的曲线比较平缓，因为它的饱和压降比较低。
8 结语
BIMOSFET的优点首先在于它的低开通损耗，其次是它的导通损耗也比较低。到功率电感器t5时刻，每个周期的总能量消耗，MOSFET为0.95mJ，而BIMOSFET仅为0.62mJ。BIMOSFET的总损耗大约减小了35%。
新手注册第一帖，求助！ 我现在在看《精通开关电源设计》这本书，在第99页讲反激开关电源磁芯选择的时候，有一个求有效磁芯体积Ve的公式：Ve=0.7 * (2+r)2/r *Pin/f cm3这个公式我自己尝试推导半天也推
CR6853空载波形异常 电源规格:
电压为:30V-80V AC 输出电压:12V 2A
IC:CR6853 MOS:IRF740 Cin:220UF/200V
变压器 EC28
初级30TS 次级14TS 反馈16TS 感量300uH
测试时发现电
数字下变频(DDC)中坐标变换模块的ASIC实现数字下变频(DDC)技术是软件无线电接收机的核心技术。其基本功能是从输人的宽带高速数字信号中提取所需的窄带信号，将其下变频为数字基带信号，并转换成较低的数据率，以供后续的DSP作进一步的处理。目前许多