JDM PIC 编程器制作方法简介

朋友的贴子中有它的PCB图，照此我制作了一个，但是仅烧写了一次就坏掉！LED也不亮了，查是D6—6.2V的稳压管烧掉。究其原因，原来我使用的是 1/2W的稳压管，而台式机的RS232接口的输出电流可达20mA，两个稳压管应该选用1W的才行。而且6.2V的稳压管不是标准的型号，所以干脆采用精密的稳压基准绕行电感TL431+合适的分压电阻代替，再次烧写，结果还是不行！LED也很亮，就是校验失败！在烧写时测量13V电压居然只有3.5V？结果查下来是第一次烧写过的那片16F873牺牲了……换一个16F72上，烧写、校验一次OK！感谢RD09！感谢JDM！为了让大家提高制作的成功率，下面我再将我制作中零件的选型和改进要点给大家共享：
两个稳压管，上面提到了需要1W的，推荐使用TL431，它的电流可达100mA，更详细的参数和使用方法见它的数据手册。

两个三极管，耐压要达到50V以上，电流100mA功率电感器以上，截止频率大于30MHZ，我使用2SC945代替，只是脚位不一样，安装时需要扭过，或者朋友们也可自己重新画PCB图。

场效应管的选择：上面提过要实现VPP BEFORE VDD功能有问题，我在线路板上用了一个IRF9014，FENG3在BBS中推荐使用2SJ377，我装好以后发现无论烧写与否VDD+5不电感器的功能能被完全关断，实际上P沟道的场效应管需要负电压才能导通，我测量TxD端，在不烧写时电压为0V，没有所期望的-15V电压出现，所以那个MOSFET不能被完全关断。好在我烧写的是28PIN的16F7X，此电压只要在烧写时有+3.5——+5V就行了。如果不烧写有内部振荡的MCU，这个管子工字电感不接也罢，况且P 沟道的MOSFET又少又贵。在实际使用中我做了如图3的改动：使用NPN的管子，电流大于500mA，耐压大于15V，、我选用8050，这样就没有问题了。如果怕TxD有负电压输出而击穿Q3的BE脚，可以在B极串一个二极管。改进后的电路如下图。

电阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜电阻。

串口插座为9针母插。

绕行电感器
其它材料恕不多述。

烧写时芯片的放置见下图：

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这样

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